ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ P-CDTE-SIO 2 -SI-AL.

To`liq ma`lumot

Annotatsiyalar


  • Ўзбек

    P-CdTe-SiO 2 -Si-Al гетеротузилмасида асимметрик микропотенциал барьерлар ва чуқур тутқичларнинг 
    мавжудлиги  –  спектрал  оптик  хотира  учун  зарур  шароитларни  яратади.  Релаксация  вақти  25  сутка 
    атрофида.  Гетеротузилмадан  оптоэлектрон  спектрал  хотира  ячейкаси  сифатида  фойдаланиш  мумкин, 
    бунда у сигналларни нафақат сақлабгина қолмасдан, уларни жамлаб ҳам боради.  

    Kalit so'z: #электрўтказувчанлик #фотосезгирлик #қисқа туташув токи #потенциал тўсиқ #фото-ЭЮК #тож разряди #чуқур сатҳ

  • Русский

    В  гетероструктуре  P-CdTe-SiO 2 -Si-Al  легко  реализуются  необходимые  условия  для  существования 
    оптической  спектральной  памяти  -  наличие  асимметричных  микропотенциальных  барьеров  и  глубоких 
    ловушек. Время релаксации ‒ около 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную 
    спектральную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их. 

    Kalit so'z: #электрўтказувчанлик #фотосезгирлик #қисқа туташув токи #потенциал тўсиқ #фото-ЭЮК #тож разряди #чуқур сатҳ

  • English

    In heterestructure, Р-CdTe-SiO 2- Si-Al it is easily realized necessary conduction for existence of optical spectral 
    memory presence asymmetric micro potential barriers and deep equations. Time of a relaxation, which happens about 
    25 days. It is possible to use heterestructure as opto - electronic memory capable not only to remember signals, but also 
    to summarize them. 

    Kalit so'z: #электрўтказувчанлик #фотосезгирлик #қисқа туташув токи #потенциал тўсиқ #фото-ЭЮК #тож разряди #чуқур сатҳ

Hujjatni onlayn ko'rish


Kutilmoqda

Foydalanilgan adabiyotlar


Havola nomi

1

1. Шейнкман М.К., Шик А.Я.//ФТП. - 1976. - № 10.

2

2. Отажонов С.М.//Физическая инженерия поверхности. - 2004. - Т. 2, № 1-2.

3

3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М.//Поверхность. АН России. - 1999. - № 3.

4

4. Абдуллаев Э., Вайткус Ю., Отажонов С. Запоминающее устройство. // Патент. I НДР РУз. № 9700869.1. от 15.03.99.

Ko'rishlar soni: 498
Nashr soni: 2017-5
Nashr sanasi: 28-10-2017
UzSCI tizimida yaratilgan sana: 09-08-2022