ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ P-CDTE-SIO 2 -SI-AL.

P-CdTe-SiO 2 -Si-Al гетеротузилмасида асимметрик микропотенциал барьерлар ва чуқур тутқичларнинг 
мавжудлиги  –  спектрал  оптик  хотира  учун  зарур  шароитларни  яратади.  Релаксация  вақти  25  сутка 
атрофида.  Гетеротузилмадан  оптоэлектрон  спектрал  хотира  ячейкаси  сифатида  фойдаланиш  мумкин, 
бунда у сигналларни нафақат сақлабгина қолмасдан, уларни жамлаб ҳам боради.  

В  гетероструктуре  P-CdTe-SiO 2 -Si-Al  легко  реализуются  необходимые  условия  для  существования 
оптической  спектральной  памяти  -  наличие  асимметричных  микропотенциальных  барьеров  и  глубоких 
ловушек. Время релаксации ‒ около 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную 
спектральную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их. 

In heterestructure, Р-CdTe-SiO 2- Si-Al it is easily realized necessary conduction for existence of optical spectral 
memory presence asymmetric micro potential barriers and deep equations. Time of a relaxation, which happens about 
25 days. It is possible to use heterestructure as opto - electronic memory capable not only to remember signals, but also 
to summarize them.