О НЕДИАГОНАЛЬНЫХ МАТРИЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ ЭФФЕКТИВНОГО ГАМИЛЬТОНИАНА В ПОЛУПРОВОДНИКЕ
Аннотации
-
Ўзбек
Яримўтказгичлардаги ток ташувчилар эффектив гамильтонианнинг нодиагонал матрицавий элементлари зонавий назариянинг ўтказувчанлик зонаси, валент зона ва спин-орбитал зоналар яқинлашишида ҳисобланган.
Ключевые слова: #матрицавий элемент #эффектив гамильтониан #ток ташувчилар
-
Русский
Рассчитаны недиагональные матричные элементы эффективного гамильтониана носителей тока как в приближении зонной теории, где рассматриваются зона проводимости, валентная зона, состоящая из подзон легких и тяжелых дырок и спин- отщепленная зона.
Ключевые слова: #матрицавий элемент #эффектив гамильтониан #ток ташувчилар
-
English
The matrix elements of the effective carrier Hamiltonian are calculated as in the Kane approximation, where the conduction band, the valence band consisting of light and heavy hole subbands, and the spin-split band, as well as in the Luttinger-Kohn model, are considered.
Ключевые слова: #матрицавий элемент #эффектив гамильтониан #ток ташувчилар
Просмотреть документ онлайн
Список литературы
| № | Название ссылки |
|---|---|
|
1 |
1. R.Ya. Rasulov, B.B.Akhmedov, M.B.Ruzialiev, A.Abduxolikov, U.Rayimjonova. Diagonal matrix elements of the effective hamiltonian in a semiconductor (taking into account spin-orbit interaction)/ European Science Review. 2020 (accepted for print). |
|
2 |
2. Charles Kittel. Introduction to Solid State Physics. John Wiley and Sons, Inc. All. Rights reserved. 2005. -675 p. |
|
3 |
3. J. M. Ziman. Principles of the Theory of Solids. Cambridge University Press, 1972 - 435 p. |
|
4 |
4. Mohammad Abdul Wahab Solid State Physics: Structure and Properties of Materials Alpha Science International, -2005. -596 p. 1842652184, 9781842652183 |
|
5 |
5. Neil W. Ashcroft, Mermin Ashcroft, Dan Wei, N. David Mermin. Solid State Physic. CENGAGE Learning Asia, - 2016 - 1332 p. |
|
6 |
6. Cardona Yu Peter, Cardona Manuel. Fundamentals of Semiconductor Physics. Per. from English I.I. Reshina. Ed. B.P. Zakharcheni. - 3rd ed., Rev. and add. -M .: Fizmatlit, -2002. -560 s. http://www.twirpx.com/file/221809/ |
|
7 |
7. G. L. Bir, G. E. Pikus. Symmetry and Strain-induced Effects in Semiconductors. Wiley, 1974 - 484 p. ISBN 0470073217, 9780470073216 |
|
8 |
8. E.L.Ivchenko, R.Ya.Rasulov. Symmetry and real band structure of half-conductors. -Tashkent. -Fan. -1989. – 126 p. |
|
9 |
9. Е.Л.Ивченко, Р.Я. Расулов. О зонной структуре и поглощения поляризованного излучения в алькогенидах свинца. Научно-технический журнал ФерПИ.. 2015. Т.19. №4. С. 9-15. |
|
10 |
10. V.R.Rasulov, R.Ya.Rasulov. Dimensional duantization in GaP. Scientific technical journal of FerPI. 2018. Vol.22. Issue 3. P.15-20. |
|
11 |
11. L. D. Landau E. M. Lifshitz. Quantum Mechanics. 3rd edition. Non-Relativistic Theory. Pergamon. -1977. -688 p. |
