ЭЛЕКТРОНЛАРНИНГ ГЕТЕРОСТРУКТУРА ПОТЕНЦИАЛ ТЎСИҒИ ОРҚАЛИ ЎТИШЛАРИДА РЕЗОНАНСЛИ ТУННЕЛЛАНИШИ

Ўлчамга боғлиқ квантлашган, ўра билан боғланган, икки потенцил ўрадан ташкил топган гетероструктурадан электроннинг ўтиш коэффициенти назарий таҳлил қилинган ва қатор гетероструктуралар учун унинг ифодалари келтирилган.

Теоретически изучено туннелирование электронов через гетероструктуру, состоящую из двух потенциальных барьеров, разделенных размерно-квантованной ямой. Получено выражение для коэффициента прохождения электронов в зависимости от энергии электронов, а также проанализированы различные случаи.

Tunneling of electron through the heterostructure consisting of two potential barriers separated by dimensionally- quantized hole is theoretically investigated. An expression for the transport coefficient of electrons as a function of the electron energy is obtained and the different cases are analyzed.