ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ ПОЛОЖЕНИЕ ДЕФЕКТОВ И УРОВЕНЬ ФЕРМИ В ПСЕВДОЛЕГИРОВАННОМ A-SLH
Annotations
-
Ўзбек
Мадола сохта легирланган A-SLH нинг 300 0 температурада электр утка- зувчанлиги оптик ва термал экспериментлар ордали текширилган ва бу долатда электр утказувчанлик кескин ошиши амалий уамда илмий-назарий жидатдан асосланган.
Tags:
-
English
Experimental facts are suggested according to difinition of the initial position of the Fermi level, after external influence in the dependence of concentration and of charge state defects pseudodoped a-Si:H. It indicated that transferance sp after optical and thermal (not high temperatures) influence depends on concentration of defects wicht are in position D+. Maximums have been discovered in dependence of temperature of electrical conductivity pseudodoped a-Si:H weak p-type in temperatures apporoximately T=300 K.
Tags:
View document online
References
| № | Name of reference |
|---|---|
|
1 |
[1 Ц.Г о л и к о в а О.А. ФТП. 1991, Т.25, В.5, С.1517 |
|
2 |
[2].G о 1 i к о v а О.А., К а г а п i п М.М., I к г a m о v R.G. J. Non-Crys. Solids. 1993, V.164-165, С.396 |
|
3 |
[3].М о р и г а к и К., С а н о Е., Хирабалши Н. Аморфные полупроводники и приборы на их основе М., 1986, С. 102 |
|
4 |
[4].Г о - л и к о в а О.А., Сорокина К.Л. ФТП. 1992, Т.26, |
|
5 |
[5.Г о л и к о в а О.А., И к - рамов Р.Г., К а з а н и н М.М., Мез д рог и н а М.М. ФТП. 1993, Т.27, В.З, С.465 |
|
6 |
[6].Г о - л и к о в а О.А., Баб с ходжаев У.С., К а з а н и н М.М., Мездрогина М.М., А р - лаускас К., Ю ш а Г. ФТП. 1991, Т.25, В.З, С.551 |
|
7 |
[7].Г о л и к о в а О.А., Б а б а х о д - ж а е в У.С., Д у б р о В.В., И к р а м о в Р.Г., К а з а н и н М.М., Я ф а е в Р.Р. ФТП, 1992, Т.26, В.1, С.66. |
